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集(ji)成(cheng)電路產業鏈

日期: 2019-07-26
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  來(lai)源:ittbank? ?

  集成電路作為半導體產業的核心,市場份額達83%,由于其技術復雜性,產業結構高度專業化。隨著產業規模的迅速擴張,產業競爭加劇,分工模式進一步細化。目前市場產業鏈為IC設計、IC制造和IC封裝測試。

  • 在核心(xin)環節(jie)中,IC設計(ji)處于(yu)產業鏈(lian)上游,IC制造為(wei)中游環節(jie),IC封裝為(wei)下(xia)游環節(jie)。

  • 全球(qiu)集成電路產(chan)(chan)業(ye)的產(chan)(chan)業(ye)轉移,由封(feng)裝測試環(huan)節(jie)(jie)轉移到制(zhi)造環(huan)節(jie)(jie),產(chan)(chan)業(ye)鏈里的每個環(huan)節(jie)(jie)由此而(er)分(fen)工明確。

  • 由原來(lai)的IDM為主逐漸(jian)轉變為Fabless+Foundry+OSAT。

【科普】集成電路產業鏈

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▲全球半導體(ti)產(chan)業鏈收入(ru)構成占比圖

1設計:細分領域具備亮點,核心關鍵領域設計能力不足從應用類別(如:手機到汽車)到芯片項目(如:處理器到FPGA),國內在高端關鍵芯片自給率幾近為0,仍高度仰賴美國企業;

2設備:自(zi)給率(lv)低,需(xu)求(qiu)缺口(kou)較大,當前在(zai)中端(duan)設(she)備實現突破,初步產業(ye)鏈成套布局,但高端(duan)制程/產品仍需(xu)攻克。中國(guo)本土半導體設備(bei)廠商只占(zhan)全球份(fen)額的1-2%,在關鍵領域如:沉積、刻蝕、離子注入(ru)、檢(jian)測等,仍(reng)高(gao)度仰賴美國(guo)企業;

3材料:在(zai)靶材(cai)等(deng)領域已經比肩(jian)國(guo)際水(shui)平,但(dan)在(zai)光刻膠等(deng)高端領域仍需較長時間實現國(guo)產替代(dai)。全球半導體材(cai)料(liao)市(shi)場規模443 億美(mei)金(jin),晶圓(yuan)制造(zao)材(cai)料(liao)供應(ying)中國占比10%以下,部(bu)分封裝材(cai)料(liao)供應(ying)占比在(zai)30%以上。在(zai)部(bu)分細分領域(yu)(yu)上比肩國際領先,高端領域(yu)(yu)仍未實現突破(po);

4制造:全球市場(chang)集(ji)中(zhong),臺積電(dian)占據60%的(de)份額,受貿易戰影響相對(dui)較(jiao)低(di)。大陸(lu)躋身第(di)二集(ji)團(tuan),全球產(chan)能擴充集(ji)中(zhong)在大陸(lu)地區(qu)。代工業呈現非(fei)常明顯的頭部效(xiao)應,在全球前十大代工廠商中,臺(tai)積電一家(jia)占據了60%的市場份額(e)。此行業較(jiao)不(bu)受貿易戰影響;

5封測:最先能實現自主可控的領(ling)域(yu)。封測行業國(guo)內企業整體(ti)實(shi)力不(bu)俗,在世界擁(yong)有較強競爭力,長電+華(hua)天(tian)+通富三家(jia)17 年全球整體(ti)市占(zhan)率達19%,美國(guo)主(zhu)要的競爭對手僅為Amkor。此行業較不(bu)受貿(mao)易戰影響(xiang)。

一、設計

  按地域(yu)來看,當前全(quan)球IC 設計仍以美國(guo)為主導,中(zhong)國(guo)大陸是(shi)重要參與者。2017 年(nian)美(mei)(mei)(mei)國IC設計(ji)公司占(zhan)據了全球(qiu)(qiu)約53%的(de)最大份(fen)額(e),IC Insight 預計(ji),新博通將總(zong)部全部搬到美(mei)(mei)(mei)國后這一份(fen)額(e)將攀升至69%左右。臺灣地(di)區IC 設計(ji)公司在2017 年(nian)的(de)總(zong)銷售額(e)中占(zhan)16%,與2010年(nian)持平。聯發科(ke)、聯詠和(he)瑞(rui)昱(yu)去年(nian)的(de)IC 銷售額(e)都超過了10 億美(mei)(mei)(mei)元,而且都躋身全球(qiu)(qiu)前二十大IC 設計(ji)公司之列。歐(ou)洲IC 設計(ji)企業只占(zhan)了全球(qiu)(qiu)市(shi)場份(fen)額(e)的(de)2%,日韓地(di)區Fabless 模(mo)式并不流(liu)行。

  與非美國海外地區相比,中國公司表現突出。世界前50 fabless IC 設計公司中,中國公司數量明顯上漲,從2009 年1 家增加至2017 年10 家,呈現迅速追趕之勢。2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中,美國占據7 席,包括高通、英偉達、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思;中國臺灣地區聯發科上榜,大陸地區海思和紫光上榜,分別排名第7 和第10。


2017 年(nian)全球前十(shi)大Fables s IC 設計(ji)廠(chang)商(百萬美元)

【科普】集成電路產業鏈

  然而(er),盡管(guan)大陸地區海思和紫光上榜,但可以看(kan)到的是(shi),高(gao)通(tong)、博通(tong)和美(mei)滿電子在(zai)中國(guo)區營收(shou)占比達(da)50%以上,國(guo)內(nei)(nei)高(gao)端 IC 設(she)計能力嚴重不足。可以看(kan)出(chu),國(guo)內(nei)(nei)對于美(mei)國(guo)公(gong)司(si)在(zai)核(he)心芯片(pian)設(she)計領(ling)域的依(yi)賴程度較(jiao)高(gao)。

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  自中美貿易戰(zhan)打(da)響后,通(tong)過“中興事件”和“華為事件”我們可以清(qing)晰的(de)(de)看到,核心的(de)(de)高端(duan)通用型芯片領域,國內的(de)(de)設計公司可提供的(de)(de)產(chan)品幾乎為(wei)0。

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  大陸高端通(tong)用(yong)芯片與國(guo)外先進水平差距主要體現在四個方面:

  1)移動處理器的國內外差距相對較小。

  紫光展(zhan)銳、華為海(hai)思等在移(yi)動處理器(qi)方面已(yi)進入(ru)全球前列。

  2)中央處(chu)理器(CPU) 是(shi)追趕(gan)難(nan)度最(zui)大的高端(duan)芯片。

  英特爾幾乎(hu)壟斷了全球市場(chang),國(guo)內相關(guan)企業約有 3-5 家(jia),但都(dou)沒有實(shi)現商業量產(chan)(chan),多仍然依(yi)靠申請科研項(xiang)目(mu)經費(fei)和(he)政府補(bu)貼維持運轉。龍芯(xin)等國(guo)內 CPU 設計(ji)企業雖(sui)然能夠(gou)做出 CPU 產(chan)(chan)品(pin),而且在單(dan)一或(huo)部分指標(biao)上可能超越國(guo)外 CPU,但由于(yu)缺乏產(chan)(chan)業生態(tai)支撐,還無(wu)法(fa)與占主導地位的產(chan)(chan)品(pin)競爭。

  3)存儲(chu)器國內外差距同樣較大。

  目前全(quan)(quan)球存(cun)(cun)儲芯片(pian)主要有三類產(chan)品,根據銷售(shou)額大小依次為(wei):DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內存(cun)(cun)和閃(shan)存(cun)(cun)領域中,IDM 廠(chang)(chang)(chang)韓國三星和海力士擁(yong)有絕對的(de)優勢,截止到2017年,在兩大領域合計市場份額分(fen)別為(wei)75.7%和49.1%,中國廠(chang)(chang)(chang)商競爭空(kong)間極為(wei)有限,武(wu)漢長江存(cun)(cun)儲試圖發展 3D Nand Flash(閃(shan)存(cun)(cun))的(de)技術,但目前僅處于(yu) 32 層閃(shan)存(cun)(cun)樣品階段(duan),而三星、英特爾等全(quan)(quan)球龍頭企業已開始陸續(xu)量產(chan) 64 層閃(shan)存(cun)(cun)產(chan)品;在Nor flash 這個(ge)約為(wei)三四十億美(mei)元的(de)小市場中,兆易創新是世界主要參與廠(chang)(chang)(chang)家(jia)之一,其(qi)他主流供(gong)貨廠(chang)(chang)(chang)家(jia)為(wei)臺灣(wan)旺宏(hong),美(mei)國Cypress,美(mei)國美(mei)光,臺灣(wan)華邦。

  4)FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片,國內外技術懸殊。

  這(zhe)些領域由于(yu)都是(shi)屬于(yu)通(tong)用型(xing)芯片,具有研(yan)發(fa)投入大,生命周期(qi)長,較(jiao)難(nan)在短(duan)期(qi)聚集起經(jing)濟效益(yi),因此在國內(nei)公司(si)層(ceng)面發(fa)展較(jiao)為緩慢(man),甚至有些領域是(shi)停滯的(de)。

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  總的來看,芯片設計的上市公司,都是在細分領域的國內最強。比(bi)(bi)如2017 年匯頂科技(ji)在(zai)指(zhi)紋(wen)識別芯(xin)(xin)片領域超越FPC 成為全球安卓陣營最大(da)指(zhi)紋(wen)IC 提供商,成為國產(chan)設計芯(xin)(xin)片在(zai)消費電(dian)子細分領域少有(you)的全球第一。士蘭微從集成電(dian)路(lu)芯(xin)(xin)片設計業務(wu)開始,逐步搭建了芯(xin)(xin)片制(zhi)造平(ping)臺,并已將技(ji)術和制(zhi)造平(ping)臺延伸至功率(lv)(lv)器件、功率(lv)(lv)模(mo)塊和MEMS 傳感(gan)器的封裝領域。但與(yu)國際半導體大(da)廠相比(bi)(bi),不(bu)管是高端芯(xin)(xin)片設計能力,還(huan)是規模(mo)、盈利(li)水平(ping)等方面仍有(you)非常(chang)大(da)的追趕空間。

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二、設備


  目(mu)前,我國半(ban)導體設備的現(xian)況是低(di)端制程實現國產(chan)替代,高(gao)端制(zhi)程(cheng)有待突破,設備(bei)自給(gei)率(lv)低、需(xu)求缺口較大(da)。

  關鍵設備技術壁壘高,美日技術領先,CR10 份(fen)額接(jie)近80%,呈現寡(gua)頭壟斷局面。半導體(ti)設(she)(she)(she)備(bei)處于產業鏈上游,貫穿(chuan)半導體(ti)生產的(de)各個環節。按照工藝流程可以分為(wei)四大(da)板塊——晶圓制(zhi)(zhi)造(zao)設(she)(she)(she)備(bei)、測試(shi)設(she)(she)(she)備(bei)、封(feng)裝設(she)(she)(she)備(bei)、前(qian)端相關設(she)(she)(she)備(bei)。其(qi)中晶圓制(zhi)(zhi)造(zao)設(she)(she)(she)備(bei)占(zhan)據(ju)了中國市場70%的(de)份(fen)額。再(zai)具體(ti)來說,晶圓制(zhi)(zhi)造(zao)設(she)(she)(she)備(bei)根據(ju)制(zhi)(zhi)程可以主要分為(wei)8 大(da)類,其(qi)中光刻(ke)機、刻(ke)蝕機和 薄(bo)膜(mo)沉積設(she)(she)(she)備(bei)這三大(da)類設(she)(she)(she)備(bei)占(zhan)據(ju)大(da)部(bu)分的(de)半導體(ti)設(she)(she)(she)備(bei)市場。同時設備(bei)(bei)市場高度集中(zhong),光刻機(ji)、CVD 設備(bei)(bei)、刻蝕機(ji)、PVD 設備(bei)(bei)的產出均(jun)集中(zhong)于少數歐美日本巨頭(tou)企(qi)業手(shou)上。

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  中國(guo)(guo)半(ban)導體(ti)設備國(guo)(guo)產化率(lv)低,本土半(ban)導體(ti)設備廠商市占率(lv)僅占全球(qiu)份額的1-2%。

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  關鍵設(she)備在先進制(zhi)程上(shang)仍未實現突破。目前世界集(ji)成電路(lu)設(she)備研發水(shui)(shui)(shui)平(ping)處(chu)于12 英(ying)(ying)寸7nm,生產水(shui)(shui)(shui)平(ping)則已經(jing)達到12 英(ying)(ying)寸14nm;而(er)中國設(she)備研發水(shui)(shui)(shui)平(ping)還處(chu)于12 英(ying)(ying)寸14nm,生產水(shui)(shui)(shui)平(ping)為12 英(ying)(ying)寸65-28nm,總的(de)來看國產設(she)備在先進制(zhi)程上(shang)與國內先進水(shui)(shui)(shui)平(ping)有(you)2-6 年時間差;具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的(de)化學(xue)機械拋(pao)光機國產化率(lv)依然為0,28nm化學(xue)氣相沉(chen)積設(she)備、快速退火設(she)備、國產化率(lv)很低。



三、材料
半導體(ti)材料發展歷(li)程



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  • Si:主要應用于集(ji)成電(dian)路(lu)的晶圓片和功(gong)率器件;

  • GaAs主要應用于大功率發光電子(zi)器(qi)件(jian)和射頻器(qi)件(jian);

  • GaN主要應用于光電器(qi)件和微波通信器(qi)件;

  • SiC主要應(ying)用于功率器(qi)件(jian)


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  細分領域已(yi)經實(shi)現(xian)彎道超車,核心領域仍未實(shi)現(xian)突破,半導體材(cai)(cai)料(liao)(liao)主要(yao)分為晶圓制造(zao)(zao)材(cai)(cai)料(liao)(liao)和(he)封(feng)裝材(cai)(cai)料(liao)(liao)兩大塊。晶圓制造(zao)(zao)材(cai)(cai)料(liao)(liao)中,硅片機(ji)硅基(ji)材(cai)(cai)料(liao)(liao)最高(gao)占(zhan)比(bi)31%,其次(ci)依次(ci)為光(guang)掩模版14%、光(guang)刻膠5%及其光(guang)刻膠配套試劑7%。封(feng)裝材(cai)(cai)料(liao)(liao)中,封(feng)裝基(ji)板(ban)占(zhan)比(bi)最高(gao),為40%,其次(ci)依次(ci)為引線(xian)框架16%,陶瓷基(ji)板(ban)11%,鍵合線(xian)15%。

  日美(mei)德在(zai)全球半導(dao)體材料(liao)供應上占主(zhu)導(dao)地位。各細分領(ling)域主(zhu)要(yao)玩家有:硅片——Shin-Etsu、Sumco,光(guang)刻膠——TOK、Shipley,電(dian)(dian)子氣體——Air Liquid、Praxair,CMP——DOW、3M,引線(xian)架構——住(zhu)友金屬(shu),鍵合線(xian)——田中貴金屬(shu)、封(feng)裝基板——松(song)下電(dian)(dian)工,塑封(feng)料——住(zhu)友電(dian)(dian)木。

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  (1)靶材、封裝(zhuang)基板(ban)、CMP 等,我國技術已經比肩國際先進(jin)水平的、實現大批(pi)量(liang)供貨(huo)、可以(yi)立刻實現國產化。已經實現國產化的半導體材料典(dian)例——靶材。

  (2)硅片(pian)、電子氣體、掩模板等(deng),技術(shu)比肩國際、但仍未大批量供(gong)貨的產(chan)品(pin)。

  (3)光刻膠,技術仍(reng)未實現突(tu)破,仍(reng)需(xu)要較長(chang)時(shi)間(jian)實現國產替(ti)代。



四、制造

  晶圓制造環(huan)節作為(wei)半導(dao)體(ti)產業鏈中至關重要的工序,制造工藝高低直接影響半導體產業先進(jin)程度。過去二十年內(nei)國內(nei)晶圓制(zhi)造環節發展(zhan)較為滯后(hou),未來在國家政策和(he)大基金的支持之(zhi)下有望進行(xing)快速追趕,將有效(xiao)提(ti)振整個半導體(ti)行(xing)業鏈的技術(shu)密(mi)度。

  半導(dao)體(ti)制造在半導(dao)體(ti)產(chan)業鏈里具有卡口地位(wei)。制(zhi)(zhi)造(zao)是產(chan)業(ye)鏈里的(de)核(he)心環(huan)節,地位的(de)重(zhong)要(yao)性(xing)不(bu)言而(er)喻。統計行(xing)業(ye)里各個環(huan)節的(de)價值量(liang),制(zhi)(zhi)造(zao)環(huan)節的(de)價值量(liang)最大,同(tong)時(shi)毛利率也(ye)(ye)處(chu)于行(xing)業(ye)較高(gao)水平,因(yin)為Fabless+Foundry+OSAT 的(de)模式成為趨勢,Foundry 在整個產(chan)業(ye)鏈中(zhong)的(de)重(zhong)要(yao)程度也(ye)(ye)逐步提(ti)升(sheng),可以這么認(ren)為,Foundry 是一個卡口(kou),產(chan)能的(de)輸出(chu)都由制(zhi)(zhi)造(zao)企業(ye)所掌(zhang)控。

  代工(gong)業(ye)(ye)呈現非常(chang)明顯(xian)的(de)(de)頭部效應 根據(ju)IC Insights 的(de)(de)數據(ju)顯(xian)示,在全(quan)球前十(shi)大(da)代工(gong)廠商中(zhong),臺(tai)積電一家占據(ju)了超過一半(ban)的(de)(de)市場(chang)份額(e),2017 年前八家市場(chang)份額(e)接近90%,同時(shi)代工(gong)主要集中(zhong)在東亞(ya)地區,美(mei)國很少有此類型的(de)(de)公司,這也和產業(ye)(ye)轉移和產業(ye)(ye)分(fen)工(gong)有關。我們認(ren)為,中(zhong)國大(da)陸通過資本投(tou)資和人才集聚,是有可能在未來(lai)十(shi)年實(shi)現代工(gong)超越的(de)(de)。


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  “中(zhong)國(guo)(guo)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)”要從下游往上(shang)(shang)游延伸,在技(ji)術轉移路線上(shang)(shang),半導體制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)是“中(zhong)國(guo)(guo)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)”尚未攻克的(de)技(ji)術堡壘(lei)。中(zhong)國(guo)(guo)是個“制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)大國(guo)(guo)”,但“中(zhong)國(guo)(guo)制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)”主要都是整機產品,在最上(shang)(shang)游的(de)“芯片制(zhi)(zhi)造(zao)(zao)”領域,中(zhong)國(guo)(guo)還和國(guo)(guo)際領先水(shui)平有很大差距。在從下游的(de)(de)制(zhi)造(zao)(zao)向“芯片(pian)(pian)制(zhi)造(zao)(zao)”轉(zhuan)移過程(cheng)中,一(yi)定要(yao)涌現出(chu)一(yi)批技術領先的(de)(de)晶圓(yuan)代工企業(ye)(ye)。在芯片(pian)(pian)貿易戰打響(xiang)之時,美國(guo)對我國(guo)制(zhi)造(zao)(zao)業(ye)(ye)技術封鎖和打壓(ya)首(shou)當其沖,我們在努力傳(chuan)承(cheng)“兩(liang)彈一(yi)星”精神,自力更生艱苦創業(ye)(ye)的(de)(de)同時,如何處理與臺灣地區先進(jin)企業(ye)(ye)臺積電、聯電之間(jian)的(de)(de)關(guan)系也會對后續發展產生較大的(de)(de)蝴蝶效應。

五、封測

  當(dang)前大陸地區半導體產業在封測(ce)行業影響(xiang)力為最強,市場占有(you)率十(shi)分優秀,龍(long)頭企業長電科技/通(tong)富微電/華天科技/晶方科技市場規(gui)模不斷(duan)提升,對比臺(tai)(tai)灣地區公(gong)司,大陸(lu)封(feng)(feng)測(ce)行(xing)業(ye)整體增長潛力已不落下風,臺(tai)(tai)灣地區知(zhi)名(ming)IC 設計公(gong)司聯發科(ke)(ke)、聯詠(yong)、瑞昱(yu)等企(qi)業(ye)已經將本(ben)地封(feng)(feng)測(ce)訂單逐(zhu)步轉向大陸(lu)同業(ye)公(gong)司。封(feng)(feng)測(ce)行(xing)業(ye)呈(cheng)現出臺(tai)(tai)灣地區、美國、大陸(lu)地區三足鼎立之態,其(qi)中長電(dian)(dian)科(ke)(ke)技/通富微電(dian)(dian)/華天科(ke)(ke)技已通過資本(ben)并購運作(zuo),市場占有率躋身(shen)全球前(qian)十(長電(dian)(dian)科(ke)(ke)技市場規模(mo)位列全球第三),先進(jin)封(feng)(feng)裝技術水平和海(hai)外龍頭企(qi)業(ye)基(ji)本(ben)同步,BGA、WLP、SiP 等先進(jin)封(feng)(feng)裝技術均能順(shun)利(li)量產(chan)。

  封(feng)測行(xing)業我國(guo)大陸(lu)企業整體實力(li)(li)不(bu)俗,在世界擁有較強競(jing)爭力(li)(li),美(mei)國(guo)主要的(de)競(jing)爭對(dui)手(shou)為Amkor 公(gong)司,在華業務營收占(zhan)比約為18%,封(feng)測行(xing)業美(mei)國(guo)市(shi)場(chang)份額(e)一般,前(qian)十大封(feng)測廠商中,僅有Amkor 公(gong)司一家,應該說貿(mao)易戰對(dui)封(feng)測整體行(xing)業影響較小(xiao),從短中長期而言,Amkor 公(gong)司業務取代的(de)可(ke)能(neng)性(xing)較高。

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  封測行業位于(yu)半導體產(chan)業鏈末端,其附加價值較低,勞(lao)動密集度高(gao),進入技術壁壘(lei)較低,封測(ce)龍頭(tou)日月(yue)光(guang)每年(nian)的研發(fa)費用(yong)占收(shou)入比例約為(wei)4%左右,遠低于半導體IC 設計、設備和(he)制造的世界(jie)龍頭(tou)公司。隨著晶圓代工廠臺(tai)積電向(xiang)下游封測(ce)行業(ye)擴張,也(ye)會(hui)對傳統(tong)封測(ce)企業(ye)會(hui)構成較大的威脅(xie)。

  2017-2018 年以后,大陸(lu)地區封測(OSAT)業(ye)者將維持快(kuai)速成長(chang),目前長(chang)電科技(ji)/通富微電已經能夠提(ti)供高(gao)階、高(gao)毛利(li)產品(pin),未來(lai)的(de)3-5 年內,大(da)陸地區的(de)封(feng)測企(qi)CAGR增長率將(jiang)持(chi)續(xu)超越全球同業。

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發布(bu)時間: 2018 - 09 - 07
氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)化(hua)(hua)(hua)學(xue)式YCl3。分(fen)(fen)(fen)(fen)子(zi)量 195.26。有(you)光澤的(de)(de)(de)白(bai)色葉狀(zhuang)晶體(ti)。其(qi)一(yi)(yi)(yi)水合(he)物(wu)為(wei)(wei)(wei)無色晶體(ti),160℃失去1分(fen)(fen)(fen)(fen)子(zi)水。其(qi)六水合(he)物(wu)為(wei)(wei)(wei)無色或略帶紅色 晶體(ti),相(xiang)對密度(du)2.1818,100℃失去5分(fen)(fen)(fen)(fen)子(zi)水。溶(rong)于(yu)水、乙醇、吡啶(ding)。以(yi)往(wang)報(bao)道(dao)顯示一(yi)(yi)(yi)定(ding)濃(nong)(nong)度(du)的(de)(de)(de)氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)可(ke)引(yin)起人(ren)淋巴細(xi)胞(bao)DNA分(fen)(fen)(fen)(fen)子(zi)損傷和(he)(he)對成(cheng)纖維細(xi)胞(bao)生長有(you)抑制作(zuo)(zuo)用(yong),但也有(you)報(bao)道(dao)認為(wei)(wei)(wei)氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)對紅細(xi)胞(bao)膜(mo)無損傷作(zuo)(zuo)用(yong),表(biao)明氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)對不同細(xi)胞(bao)作(zuo)(zuo)用(yong)有(you)差異。人(ren)皮(pi)(pi)膚(fu)的(de)(de)(de)表(biao)皮(pi)(pi)細(xi)胞(bao)最易與(yu)環(huan)境中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)直接(jie)接(jie)觸,但氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)對表(biao)皮(pi)(pi)細(xi)胞(bao)的(de)(de)(de)影(ying)響(xiang)報(bao)道(dao)較少。  氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)用(yong)途(tu)是什么?  1. 氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)可(ke)用(yong)于(yu)制備樹(shu)(shu)脂(zhi)表(biao)面復(fu)合(he)涂層。如 一(yi)(yi)(yi)種從廢棄(qi)熒(ying)光粉(fen)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)回收稀(xi)(xi)(xi)土(tu)元(yuan)素(su)(su)(su) 釔(yi)(yi)(yi)并(bing)制備樹(shu)(shu)脂(zhi)表(biao)面復(fu)合(he)鍍(du)層的(de)(de)(de)方法(fa)(fa),包括以(yi)下(xia)步(bu)(bu)驟:  a、利用(yong)篩(shai)分(fen)(fen)(fen)(fen)法(fa)(fa)將(jiang)破碎后(hou)(hou)的(de)(de)(de)熒(ying)光粉(fen)與(yu)雜質分(fen)(fen)(fen)(fen)離(li)開,通過(guo)20目(mu)、60目(mu)、100目(mu)、200目(mu)網篩(shai)逐步(bu)(bu)篩(shai)分(fen)(fen)(fen)(fen)后(hou)(hou),收集200目(mu)篩(shai)下(xia)物(wu),篩(shai)下(xia)物(wu)占未篩(shai)前(qian)粉(fen)體(ti)重量的(de)(de)(de)99.9%以(yi)上;  b、將(jiang)步(bu)(bu)驟a得(de)(de)到的(de)(de)(de)篩(shai)下(xia)物(wu)加(jia)入(ru)到酸和(he)(he)雙(shuang)氧(yang)(yang)水混(hun)合(he)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong),反(fan)應一(yi)(yi)(yi)段時間,然后(hou)(hou)進(jin)行(xing)過(guo)濾(lv),濾(lv)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)含(han)有(you)稀(xi)(xi)(xi)土(tu)元(yuan)素(su)(su)(su);  c、將(jiang)步(bu)(bu)驟b得(de)(de)到的(de)(de)(de)濾(lv)液(ye)采用(yong)磷(lin)系萃(cui)取(qu)劑(ji)進(jin)行(xing)萃(cui)取(qu),分(fen)(fen)(fen)(fen)三級萃(cui)取(qu)后(hou)(hou),萃(cui)取(qu)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)只(zhi)含(han)有(you)稀(xi)(xi)(xi)土(tu)元(yuan)素(su)(su)(su);  d、將(jiang)步(bu)(bu)驟c得(de)(de)到的(de)(de)(de)含(han)有(you)稀(xi)(xi)(xi)土(tu)元(yuan)素(su)(su)(su)的(de)(de)(de)萃(cui)取(qu)液(ye)用(yong)鹽酸進(jin)行(xing)反(fan)萃(cui),反(fan)萃(cui)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)為(wei)(wei)(wei)稀(xi)(xi)(xi)土(tu)元(yuan)素(su)(su)(su)釔(yi)(yi)(yi),如果萃(cui)取(qu)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)還含(han)有(you)稀(xi)(xi)(xi)土(tu)銪,則(ze)稀(xi)(xi)(xi)土(tu)銪在萃(cui)余(yu)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong);  e、將(jiang)步(bu)(bu)驟d得(de)(de)到的(de)(de)(de)反(fan)萃(cui)液(ye)加(jia)入(ru)氨水進(jin)行(xing)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)和(he)(he)至溶(rong)液(ye)剛(gang)有(you)少量白(bai)色沉淀產生,溶(rong)液(ye)主(zhu)要(yao)成(cheng)份為(wei)(wei)(wei)氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi),將(jiang)氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)溶(rong)液(ye)蒸發濃(nong)(nong)縮或蒸干再配(pei)制成(cheng)一(yi)(yi)(yi)定(ding)濃(nong)(nong)度(du)后(hou)(hou),逐滴(di)加(jia)入(ru)到配(pei)有(you)分(fen)(fen)(fen)(fen)散(san)劑(ji)的(de)(de)(de)碳酸氫銨溶(rong)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong),生成(cheng)前(qian)驅體(ti);  f、將(jiang)步(bu)(bu)驟e得(de)(de)到的(de)(de)(de)前(qian)驅體(ti)過(guo)濾(lv)、烘干后(hou)(hou),進(jin)行(xing)煅(duan)燒,研磨(mo)后(hou)(hou)得(de)(de)到納(na)米氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)粉(fen)末;  g、將(jiang)步(bu)(bu)驟f得(de)(de)到的(de)(de)(de)納(na)米氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)粉(fen)末加(jia)入(ru)至配(pei)有(you)分(fen)(fen)(fen)(fen)散(san)劑(ji)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)鍍(du)液(ye)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)制成(cheng)復(fu)合(he)電(dian)(dian)鍍(du) 液(ye),電(dian)(dian)鍍(du)至樹(shu)(shu)脂(zhi)表(biao)面。  2. 氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)對人(ren)表(biao)皮(pi)(pi)細(xi)胞(bao)作(zuo)(zuo)用(yong):釔(yi)(yi)(yi)為(wei)(wei)(wei)稀(xi)(xi)(xi)有(you)元(yuan)素(su)(su)(su),在低濃(nong)(nong)度(du)對表(biao)皮(pi)(pi)細(xi)胞(bao)體(ti)外(wai)增殖(zhi)無影(ying)響(xiang)。氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi)對紫外(wai)線誘導(dao)表(biao)皮(pi)(pi)細(xi)胞(bao)凋亡有(you)一(yi)(yi)(yi)定(ding)影(ying)響(xiang),研究結果顯示加(jia)入(ru)低濃(nong)(nong)度(du)氯化(hua)(hua)(hua)釔(yi)(yi)(yi) 0....
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1、拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)多大(da)(da)(da)(da)?  粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)是這(zhe)(zhe)個(ge)(ge)行業劃分(fen)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)規格的(de)(de)(de)(de)(de)標(biao)準,粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)指的(de)(de)(de)(de)(de)是拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)顆粒(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)(de)直(zhi)徑(jing)(jing)(jing),單位為μ,常(chang)見的(de)(de)(de)(de)(de)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)從(cong)0.6——3.2不(bu)(bu)等(deng),常(chang)用(yong)(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)是1.0——2.0之間,根據(ju)(ju)經驗可(ke)大(da)(da)(da)(da)概判斷粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)小的(de)(de)(de)(de)(de)適合(he)做平(ping)磨用(yong)(yong)(yong),如(ru)1.0,1.2,1.4;粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)大(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)(de)適合(he)做掃光(guang)(guang)(guang)如(ru)1.6,1.8,2.0等(deng),最終還是要根據(ju)(ju)客戶的(de)(de)(de)(de)(de)使用(yong)(yong)(yong)習(xi)慣(guan)來(lai)定。粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)跟切削(xue)力(li)(li)成正(zheng)比(bi)(bi)關系,粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)越(yue)大(da)(da)(da)(da)切削(xue)力(li)(li)越(yue)強(qiang),反之越(yue)小。每家拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)都有(you)幾(ji)種粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing),但粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)分(fen)布的(de)(de)(de)(de)(de)均勻(yun)(yun)度就(jiu)需(xu)(xu)要生(sheng)產(chan)水(shui)(shui)平(ping)把控了(le),生(sheng)產(chan)水(shui)(shui)平(ping)高(gao)可(ke)以(yi)(yi)盡可(ke)能的(de)(de)(de)(de)(de)提高(gao)標(biao)準粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)所(suo)占比(bi)(bi)重,減小最大(da)(da)(da)(da)和最小粒(li)(li)(li)(li)徑(jing)(jing)(jing)的(de)(de)(de)(de)(de)范圍以(yi)(yi)及(ji)占比(bi)(bi)。比(bi)(bi)方說有(you)些(xie)產(chan)品(pin)標(biao)號是1.2,但實際上1.2的(de)(de)(de)(de)(de)顆粒(li)(li)(li)(li)只(zhi)占整體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)百(bai)分(fen)之三十或者(zhe)更少(shao),其他顆粒(li)(li)(li)(li)參差不(bu)(bu)齊(qi),甚(shen)至最小0.6,最大(da)(da)(da)(da)5.6,所(suo)以(yi)(yi)導(dao)致良率下降劃傷增(zeng)多的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)(qing)況(kuang)。  2、拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)怎樣?  很多客戶習(xi)慣(guan)性(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)把懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)作為判斷拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)品(pin)質好壞的(de)(de)(de)(de)(de)依(yi)據(ju)(ju),所(suo)謂懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)就(jiu)是拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)兌(dui)水(shui)(shui)攪(jiao)拌(ban)(ban)(ban)均勻(yun)(yun)以(yi)(yi)后(hou),拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)液(ye)中粉(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)沉(chen)淀時間長短,沉(chen)淀的(de)(de)(de)(de)(de)快說明懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)不(bu)(bu)好,如(ru)果(guo)(guo)(guo)沉(chen)淀的(de)(de)(de)(de)(de)慢則說明懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)好。這(zhe)(zhe)種觀點(dian)有(you)問題,應當根據(ju)(ju)分(fen)散效果(guo)(guo)(guo)判斷懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing),即(ji)當拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)液(ye)靜置(zhi)超過(guo)(guo)兩小時后(hou)產(chan)生(sheng)沉(chen)淀現象,在略(lve)加(jia)(jia)攪(jiao)拌(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)(qing)況(kuang)下是否(fou)立即(ji)恢復(fu)原來(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)效果(guo)(guo)(guo),而不(bu)(bu)是產(chan)生(sheng)沉(chen)淀物結(jie)(jie)(jie)塊攪(jiao)拌(ban)(ban)(ban)不(bu)(bu)開的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)(qing)況(kuang)。很多拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)廠(chang)家習(xi)慣(guan)通過(guo)(guo)添加(jia)(jia)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)劑的(de)(de)(de)(de)(de)方式改善(shan)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing),但是如(ru)果(guo)(guo)(guo)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)劑加(jia)(jia)的(de)(de)(de)(de)(de)過(guo)(guo)多或者(zhe)匹配不(bu)(bu)好,容易(yi)出現結(jie)(jie)(jie)膠(jiao)(jiao)(拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)凝聚)和腐(fu)蝕手的(de)(de)(de)(de)(de)情(qing)(qing)況(kuang)。我(wo)們(men)對(dui)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)非(fei)常(chang)重視,既要保證懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing),又要保證安(an)全和不(bu)(bu)結(jie)(jie)(jie)膠(jiao)(jiao),做了(le)大(da)(da)(da)(da)量的(de)(de)(de)(de)(de)實驗驗證。另外(wai)水(shui)(shui)質對(dui)懸(xuan)浮(fu)(fu)(fu)(fu)性(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)影響也比(bi)(bi)較明顯,純(chun)水(shui)(shui)和自來(lai)水(shui)(shui)兌(dui)出來(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)液(ye)對(dui)比(bi)(bi)起來(lai)非(fei)常(chang)明顯,建(jian)議使用(yong)(yong)(yong)過(guo)(guo)濾裝置(zhi)或者(zhe)用(yong)(yong)(yong)純(chun)水(shui)(shui)兌(dui)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)。(每個(ge)(ge)蓋板廠(chang)都有(you)純(chun)水(shui)(shui)生(sheng)產(chan)裝置(zhi),因為超聲波(bo)清洗劑需(xu)(xu)要用(yong)(yong)(yong)到純(chun)水(shui)(shui))  3、拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)消耗大(da)(da)(da)(da)不(bu)(bu)大(da)(da)(da)(da)(耐不(bu)(bu)耐用(yong)(yong)(yong)?)  這(zhe)(zhe)個(ge)(ge)問題也比(bi)(bi)較常(chang)見,有(you)些(xie)廠(chang)家會反應用(yong)(yong)(yong)品(pin)牌A的(de)(de)(de)(de)(de)拋(pao)(pao)光(guang)(guang)(guang)粉(fen),一臺機器(qi)一個(ge)(ge)班只(zhi)需(xu)(xu)要添加(jia)(jia)0.5KG,用(yong)(yong)(yong)品(pin)牌B 就(jiu)需(xu)(xu)要0.7甚(shen)至更多。首先需(xu)(xu)要搞...
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鎳氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)(MH-Ni)電(dian)(dian)池(chi)自1989年商(shang)業化(hua)(hua)以來,其負極(ji)(ji)材(cai)料(liao)主(zhu)(zhu)要是LaNi5型(xing)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)。隨著鎳氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)電(dian)(dian)池(chi)制(zhi)(zhi)備(bei)技術的(de)(de)(de)(de)(de)不斷提(ti)(ti)(ti)升以及性能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)極(ji)(ji)大提(ti)(ti)(ti)高(gao),其應用(yong)領域更加廣泛,對電(dian)(dian)池(chi)材(cai)料(liao)性能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)也越(yue)來越(yue)高(gao),特別是與電(dian)(dian)池(chi)能(neng)量(liang)(liang)密度密切相(xiang)(xiang)關的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)極(ji)(ji)材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)容(rong)(rong)量(liang)(liang)性能(neng)。電(dian)(dian)池(chi)的(de)(de)(de)(de)(de)容(rong)(rong)量(liang)(liang)主(zhu)(zhu)要是由電(dian)(dian)池(chi)正(zheng)、負極(ji)(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)容(rong)(rong)量(liang)(liang)確(que)定的(de)(de)(de)(de)(de),但正(zheng)極(ji)(ji)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)氧(yang)化(hua)(hua)亞鎳的(de)(de)(de)(de)(de)容(rong)(rong)量(liang)(liang)提(ti)(ti)(ti)高(gao)已(yi)經(jing)有(you)限,因此人們就把研(yan)究重點放(fang)在(zai)了(le)負極(ji)(ji)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究上面。LaNi5型(xing)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)負極(ji)(ji)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)實(shi)際(ji)(ji)最大容(rong)(rong)量(liang)(liang)(350 mAh g–1)已(yi)經(jing)接近(jin)其理(li)論值(zhi)(zhi)(372 mAh g–1),進一步提(ti)(ti)(ti)高(gao)相(xiang)(xiang)當困難,因此,必(bi)需研(yan)究開發具有(you)更高(gao)容(rong)(rong)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)新型(xing)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)。近(jin)年來,高(gao)容(rong)(rong)量(liang)(liang)La-Mg-Ni系儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)(理(li)論容(rong)(rong)量(liang)(liang)超(chao)過(guo)400 mAh g–1,實(shi)際(ji)(ji)最大容(rong)(rong)量(liang)(liang)390 mAh g–1)的(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究獲(huo)得(de)了(le)許多(duo)有(you)價(jia)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)果(guo),已(yi)產(chan)業化(hua)(hua)并應用(yong)于制(zhi)(zhi)造低(di)自放(fang)電(dian)(dian)鎳氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)電(dian)(dian)池(chi)和某些高(gao)容(rong)(rong)量(liang)(liang)鎳氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)電(dian)(dian)池(chi)。但La-Mg-Ni合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)備(bei)工藝(yi)成(cheng)本高(gao)或工藝(yi)過(guo)程(cheng)復(fu)雜,主(zhu)(zhu)要原因在(zai)于:合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)中(zhong)必(bi)需含(han)有(you)的(de)(de)(de)(de)(de)活(huo)潑(po)金(jin)(jin)(jin)屬元(yuan)素(su)(su)(su)Mg的(de)(de)(de)(de)(de)蒸汽壓(ya)高(gao),易(yi)揮發,使(shi)得(de)高(gao)溫熔(rong)煉(lian)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)分(fen)難以控制(zhi)(zhi),同時(shi)揮發的(de)(de)(de)(de)(de)微細鎂(mei)粉易(yi)燃易(yi)爆而存(cun)在(zai)安(an)全隱患(huan)。國內主(zhu)(zhu)要使(shi)用(yong)高(gao)價(jia)值(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)氦氣(qi)作為保護氣(qi)制(zhi)(zhi)備(bei)La-Mg-Ni合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin),日本采用(yong)熔(rong)煉(lian)La-Ni合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)然后擴散Mg的(de)(de)(de)(de)(de)二次制(zhi)(zhi)備(bei)工藝(yi)技術。為了(le)解決(jue)La-Mg-Ni基(ji)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)制(zhi)(zhi)備(bei)工藝(yi)存(cun)在(zai)的(de)(de)(de)(de)(de)問題,包頭稀土研(yan)究院儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)材(cai)料(liao)項(xiang)目組經(jing)過(guo)多(duo)次試驗(yan)研(yan)究發現,用(yong)Y元(yuan)素(su)(su)(su)替代(dai)La-Mg-Ni基(ji)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)Mg元(yuan)素(su)(su)(su),獲(huo)得(de)了(le)同樣高(gao)容(rong)(rong)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)La-Y-Ni儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin),可(ke)(ke)直(zhi)接用(yong)真空感(gan)應熔(rong)煉(lian)法制(zhi)(zhi)備(bei)。2014年以來,開發的(de)(de)(de)(de)(de)A2B7型(xing)La-Y-Ni儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)經(jing)合(he)(he)(he)(he)理(li)的(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)分(fen)優化(hua)(hua)后實(shi)際(ji)(ji)放(fang)電(dian)(dian)容(rong)(rong)量(liang)(liang)可(ke)(ke)達到(dao)390 mAh g–1,氣(qi)相(xiang)(xiang)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)量(liang)(liang)可(ke)(ke)達到(dao)1.49 wt%(相(xiang)(xiang)應的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)化(hua)(hua)學容(rong)(rong)量(liang)(liang)為399 mAh g–1),與La-Mg-Ni基(ji)儲(chu)(chu)氫(qing)(qing)(qing)(qing)(qing)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)容(rong)(rong)量(liang)(liang)相(xiang)(xiang)當,而且由于不含(han)活(huo)潑(po)的(de)(de)(de)(de)(de)Mg元(yuan)素(su)(su)(su),循環(huan)壽命更好。該系列(lie)合(he)(he)(he)(he)金(jin)(jin)(jin)已(yi)申報8項(xiang)國家發...
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